반도체 제조 공정의 종류와 기법 서술

목차

1. 반도체 제조공정에서 사진 공정은 어떤 역할을 수행하는가
2. 사진공정의 네가지 주요 단계
3. 실리콘 산화막 형성
4. 산화막의 용도 및 역할
5. 확산이란?
6. 확산 메커니즘의 종류
7. 반도체 공정에서 불순물 주입
8. 산화공정의 원리
9. 산화 시스템 구조
10. 열확산 장치 불순물 주입
11. PVD 박막 제어
12. PVD에서 Metalization 절차
13. 반도체 소자 제조과정에서 박막의 역할
14. 금속 박막의 종류와 용도
15. 유전체 박막의 종류와 용도
16. 유전체 박막 활용
17. 반도체 배선공정 기법
18. 금속접촉
19. 인터커넥트(Interconnect) 의 지연
20. ALD 공정의 원리

본문내용

사진공정을 통해 집적회로를 구성하는 트랜지스터,저항,커패시터 등에 해당하는 패턴을 웨이퍼의 표면에 구현한다. 반도체 제조공정에서는 이러한 과정들이 여라 차례 반복되면서 하나의 칩을 만들어 내게 된다.가장 중요한 반도체 기술이 사진 공정이고 이에 관련 장비는 반도체공정 장비에서 가장 고가에 속합니다. 가장 중요한 반도체 기술이 사진 공정이고 이에 관련 장비는 반도체공정 장비에서 가장 고가에 속한다. 사진공정은 집적회로 제조공정에서 가장 비싼 단위공정으로 전체 집적회로 제조 공정비의 35%를 차지합니다.

<중 략>

실리콘은 산화의 과정을통하여 화학적으로 안정된 보호막인 실리콘 산화막을 쉽게 형성ㅇ 할 수 있다. 실리콘 산화막은 다른 어떤 물질의 산화막보다 물리적 화학적으로 안정되고 우수한 막질을 가지는 산화막이다.
산화방법 중에서 가장 일반적으로 사용하는 산화막 중의 하나가 열산화법으로 형성된 열산화막 이다. 열산화막은 결정 표면의 안정화 불순물 확산에 대한 마스크 작용, 평명화 기술의 발전, 외부 오염으로부터 보호효과 등 우수한 성질을 가지고 있다 ᄄᆞ라서 반도체 기술에 없어서는 안될 주요 기술로 인식 되고 있다.

<중 략>

메털라이제이션 프로세스(Metalization process)의 경우 첫 번째 실리콘 표면에 생성된 자연 산화막을 용액을 이용하여 제거하거나 알에프 플라즈마(RF Plasma)를 이용하여 제가한다. 이 후 베리어 메탈(barrier metal)로써 Ti막을 통한 접촉 저항을 감소시킬 목적으로 증착하고 TiN막을 PVD Sputter 방법을 이용하여 증착한다. 그 후 TiN 어닐(anneal)을 통해 실리콘 표면에 Ti 실리사이데이션 silicidation)을 형성하고 TiN 디펙트(defect)를 감소해서 다음 공정으로 W plug를 CVD 방법으로 증착을 하게 되며 다음 Ti, Al를 증착하고, Ti 금속을 증착하여 비아(Via) 저항이 감소되고 마지막으로 TiN막 증착을 하여 메털라이제이션 프로세스(Metalllization process)를 끝낸다.

참고 자료

없음