[고분자재료실험] 5. ITO Scribing & Cleaning. - 예비

목차

1. 실험제목/실험날짜
2. 실험조 및 실험자
3. 실험목적
4. 실험이론 및 배경
5. 기구 및 시약
6. 실험방법
7. 참고문헌

본문내용

1. 실험제목/실험날짜 : 5. ITO Scribing & Cleaning / 2014년 10월 17일

2. 실험조 및 실험자 :

3. 실험목적 :
◦OLED/PLED/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO glass를 원하는 크기로 자르는 방법을 습득한다.
◦원하는 모양으로 자른 ITO glass의 오염된 표면을 세정하여 소자의 성능 및 수율을 향상시킨다.

4. 실험이론 및 배경 :
Pattern 공정을 하기 위해서는 주변의 청정도가 매우 중요한데, 아래 그림에서 보는 것과 같이 Clean room 에서 빛에 노출되지 않는 환경을 구비한 후 공정을 시작하여야 한다.

◦ Cleaning & Wet-Station 의 중요성
모든 반도체 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Glass 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정 공정은 Glass 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서 기판(Glass) 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소장 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정된다.
ITO의 Coating이 표면 균일도나 유기층과의 접촉특성이 소자의 발광 특성에 커다란 영향을 미치게 된다. 따라서 광 투과 정도, 정공수송층으로의 전하전달 특성 등이 우수한 양극전극으로서의 ITO 특성이 충분히 고려되어야 한다.

참고 자료

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