물리전자 PN Junction Diode Design with Device Simulator를 이용한 특성 설명

목차

1. Effect of Na on I-V
2. Effect of Xpk on I-V
3. Effect of Xch on I-V
4. Solution Approach Scheme
5. Diode Design Results
6. Discussions

본문내용

3) Xch가 일정할 때 Xpk를 증가시키면 N type 쪽으로 가까워지면서 P type영역이 넓어지는 효과가 발생하는데 이로 인하여 N type 영역은 감소하게 된다. 따라서 Carrier의 농도가 변하여 I가 변하게 되는 것이다.

1) 왼쪽의 그래프에서 Xch가 증가하면 VBR이 증가, Xch가 감소하면 VBR도 감소하는 어느 정도는 비례관계에 있다는 것을 알 수 있다.
2) Xch와 P type영역의 넓이가 비례관계에 있기 때문에 주로 Forward bias 영역에서 Xch가 증가할수록 전류가 상대적으로 커지고, Xch가 작아지게 되면 이와 반대로 전류는 작아지게 되는 현상을 보인다.
3) Reverse Bias에서는 Xch가 커질수록 Reverse Bias 전압이 증가할수록 역전류가 커지는 것을 알 수 있다.

참고자료

· 없음