화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)

*성*

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최초 등록일: 2012.11.14
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소개글

화합물 반도체의 금속공정에 대한 parameter들을 정리
오믹 Mechanism과 오믹 Metal Scheme
증착 전처리
E-Beam 증착에 대한 parameter
금속 증착 두께 측정방법

본문내용

1. Removal of organic and metal ion contaminants
Degreasing
1) Trichloroethane(TCE)
2) Acetone
3) Methanol
4) Isopropanol(IPA)
5) D.I. Water

Thermal Deoxidation
1) Degrease surface
2) Heat under column V source gas with no oxygen present

Removal of Metal Ions
1) NH4OH rinse
2) D.I. Water rinse

2. Removal of native oxide
1) HCl-based – HCl:D.I.(1:1 ~ 1:20, 10min.)
2) NH4OH-based – NH4OH:D.I.(1:10, 1:20, 30sec~10min.)
3) Dillute H3PO4, or H2SO4

참고 자료

없음

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