Cu 박막 전기적 특성 분석

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목차

실험목적

이론적배경

실험방법

실험결과

고찰

참고문헌

본문내용

1. 실험목적
전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. 하지만 최근의
경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 때라서 대체 재료로 Cu이 각광을 받고 여러
방면에서 연구를 진행하고 있다.
Cu bulk의 비저항은 1.67μΩ-㎝로서 Al bulk(2.7μΩ-㎝)에 비해 매우 낮다. 이러한
특성으로 인하여 RC delay로 인한 신호의 지연으로 응답속도의 차이를 극복하는데 이용할 수 있는 좋은 재료이다.
하지만 이러한 Cu 박막의 전기적 특성에 영향을 미치는 인자들에 대한 실험을 진행
하고자 한다.

2. 이론적 배경
1) SEM(Scanning Electron Microscope)
10∼3 Pa 이상의 진공 중에 놓여진 시료표면을 1∼100nm정도의 미세한 전자선
으로 x-y의 이차원방향으로 주사하여 시료표면에 발생하는 2차전자, 반사전자,

투과전자, 가시광, 적외선, X선 내부기전력등의 신호를 검출하여 음극선관(브라운관) 화면상에 확대화상을 표시하거나 기록하여 시료의 형태, 미세구조의 관찰이나 구성원소의 분포, 정성, 정량등의 분석을 행하는 장치이다. 광학현미경과 비교하여 얻을 수 있는화상의 초점심도가 2배이상 깊으며,

참고 자료

없음