박막 태양광기술에 대해서 전문적인 자료입니다

소개

cigs박막의 증착기술의 종류와 방법등이 상세하게 정리되어있습니다

목차

1. CIGS는 무엇인가

2. CIGS의 발전배경

3. CIGS의 박막기술(co-evaportion, mo-cvd, selenization)

4. CIGS의 특징

5. CIGS의 장점

6. CIGS의 단점

7. CIGS의 시장

8. CIGS의 미래

본문내용

기존 결정질 Si 태양전지
· 장점 : 고효율, 신뢰성
· 단점 : 저가화 한계
두께 한계 : 2~300um
공정이 단속적

기존 기술의 보완
· 고효율, 저가화
· 박판 직접 제조, 구형화, 원료 재생
· 웨이퍼 박형화 < 50um
· eoconomy of scale
박막( Si, I-III-VI, II-VI, Organic…)및 신형 태양전지
고효율, 신뢰성, 외관 미려, 발전량 > c-Si
저가
· 두께 < 2-3 um
· 연속 대량생산
· 저에너지 소비형 공정(EBP < 1.5년, 장기 0.5년)
· 저가의 기판재료 이용(유리, 금속, 플라스틱)

<중 략>

Selenization
selenization 공정은 높은 온도와 같은 diethylselenide (DESe) 및 H2S와 같은 물질을 사용하여 빠른 열 처리를 할 수 있다.
이 과정은 입금 CIGS, CIS 및 CIGSS 박막 후에 수행된다.
Selenization 공정은 비교적 장치가 간단하고
손쉽게 금속 또는 절연체를 증착할수 있어
연구용 뿐만 아니라 생산용으로 폭넓게 활용되는기술이다.

참고자료

· 없음