1. 서론
2. 이론
3. 실험 기기 및 부품
4. 실험 결과 표
5. 오차 원인
6. 결론
7. 참고문헌
본문내용
목 적
이번 실험의 결과를 통하여 그동안 알고 있던 트랜지스터의 바이어스를 이해하며 ICB0를 측정하는 데에 목적이 있다.
1. 서 론
규소나 저마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소이며 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭, 스위치 역할을 한다. 가볍고 소비전력이 적어 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용되며 이를 고밀도로 집적한 집적회로가 있다. 접합형 트랜지스터와 전기장 효과 트랜지스터로 구분한다.[1]
위 내용은 백과사전상의 요약 내용이며 이번 실험을 통하여 회로이론, 전자회로시간에 배운 트랜지스터에 대해 알고 있던 이론상의 내용을 눈으로 보는 기회를 가졌다.
2. 이 론
트랜지스터는 AC신호를 증폭하거나 도는 스위치로 어떤 상태를 on 시키거나 off시키는 소자이다. 3개의 반도체 물질을 가지며 따라서 두 개의 PN접합이 있고 3개의 단자가 있다. 그래서 두 개의 접합을 가지고 있다고 해서 바이폴러 접합 트랜지스터(BJT)라고 하는 것이다. 바이폴러 접합 트랜지스터에는 두 가지 형태가 존재하는데 하나는 NPN트랜지스터이며 두 개의 N형 영역 사이에 P형 영역이 사이에 끼여 있는 형태이다. 또 하나는 PNP형 트랜지스터인데 두 개의 P형 영역이 사이에 하나의 N형 영역이 삽입되어 있다. 그림 21-1은 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 이름이 붙은 바이폴러 PNP 트랜지스터의 각 영역을 보여주고 있다. 트랜지스터의 두 접합을 컬렉터-베이스 접합 또는 컬렉터 접합이라 하며 이미터-베이스나 이미터 접합이라 한다.
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