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[다이오드,MOFET등...] 전력전자

"[다이오드,MOFET등...] 전력전자"에 대한 내용입니다.
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최초등록일 2002.10.11 최종저작일 2002.10
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    목차

    1. 다 이 오 드
    2. SCR 사이리스터
    3. GTO 사이리스터
    4. 바이폴라 트랜지스터
    5. MOSFET
    6. IGBT
    7. MCT

    본문내용

    다이오드(diode)는 온 ·오프 제어불가 스위치로, 단방향 전압저지, 단방향 전류 특성을 갖는다. 그림 2-28 (a)는 다이오드의 회로기호를 나타내며, A는 애노드(anode), K는캐소드(cathode)라고 한다. 전류는 항상 애노드에서 캐소드로 흐른다. 다이오드는 외부 회로에 의하여 VAK>0 되는 전압(순방향 전압)이 인가되면 턴온되고, 온 상태에서 애노드 전류 iA가 iA<0 되려 할 때 턴오프된다.

    그림 2-28(b)에서 보듯이, 다이오드는 온 상태에서 매우 작은 온드롭(on-drop)
    (약 1V 정도)를 갖고, 오프되면 동작전류 IF에 비하여 무시할 만큼 작은 누설전류
    IR만을 흘리므로, 회로의 구성
    이나 동작해석의 관점에서는 그림 2-28 (c)와 같이 이상적인특성을 갖는 것으로 볼 수 있다. 누설전류 IR은 다이오드가 견딜 수 있는 최대 역방향전압 VBR에 따라 증가하는 경향이 있다. 예를 들면, 약 5000v 이상의 VBR을 갖는 다이오드의 경우, IF에 따라 조금
    씩은 다르지만, IR은 약 1uA~lmA 수준이다.

    참고자료

    · 없음
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