중첩의 원리 실험예비보고서 - 레포트 A+
- 최초 등록일
- 2011.05.13
- 최종 저작일
- 2011.04
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소개글
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목차
1.실험예비보고서 중첩의 원리
2. 실험 목적
3. 기본 이론
4. 실험 방법
5. 예비 보고서 문제
6. 참고문헌
본문내용
1.실험예비보고서 중첩의 원리
2. 실험 목적
중첩의 원리를 실험적으로 확인한다.
3. 기본 이론
중첩의 원리는 하나 이상의 전압원을 포함하는 선형회로에서 임의의 소자 전류 값과 개별적인 전류 값의 합이 같고, 임의의 소자의 전압강하와 개별적인 전압강하의 합이 같은 것을 말한다.
중첩의 원리를 적용할 때 주의해야 할 점이 몇 가지 있다. 먼저, 해석할 회로망의 수는 독립 전원의 수와 같다. 그리고 전압원 제거 시 전위차는 0으로 해야한다. 마지막으로 전류 전원 제거 시에는 개방 시켜야 한다.
여기서 선형회로란 전기회로에서 회로의 전압과 전류가 단순히 비례관계인 회로를 의미한다. 변하지 않는 소자로 되어있는 회로는 선형회로이고 변하는 소자로 되어있는 회로는 비선형회로이다.
위 그림을 보면,
한번에 한 개의 전압원을 취하고, 취하지 않는 전압원은 단락 시켜야한다.
회로에 전원이 한 개만 있는 것으로 생각하고, 원하는 회로의 전압을 연결시키고, 이와 같은 방법으로 다른 전원도 적용하여 반복하면 된다. 전압을 구하려면 각 개별적인 전원에 의한 전압을 더하거나 빼고, 전류의 방향이 같으면 더해주고 다르면 빼주면 된다.
위 회로를 보면,
I2 = V/RT = 36 / 12 + 6 = 2A (직렬회로는 전류가 일정하다)
I2 = R1*I /R2 + R3 = 12 * 9 / 12 + 6 = 108A / 18 = 6A
I2 = 2A + 6A = 8A
이제 좀 더 복잡한 회로를 가지고 중첩의 원리를 이해해보자.
그림1 그림2
그림 1을 먼저 보면,
RT = R1 + R2 // R3 0.82K + 0.776K = 1.596K옴
IT = V / RT = 15V / 1596옴 = 9.396Ma
I1 = IT I1 = I2 + I3
그러므로
I3 = R2*I1 / R2 +R3 = 2.2K옴 * 9.396mA / 2.2K옴 + 1.2K옴 = 6.06mA
I2 = I1 I3 = 3.316mA
V1 = R1 * VT /( R1 + R2//
참고 자료
회로이론 저자 : 제임스 닐슨 , 수잔 리델 지음
실험강의자료 2장 중첩의 원리
ko.wikipedia.org/wiki
http://blog.naver.com/clever0100?Redirect=Log&logNo=100108024394