RC회로의 과도 응답과 DRAM동작원리, 오실로스코프의 AC커플링과 신호의 왜곡, RC회로의 주파수 응답과 필터, RL회로의 과도 응답과 주파수 응답 결과보고서

소개글

전자공학, 기초전기실험 결과 보고서

1.RC회로의 과도 응답과 DRAM동작원리,
2.오실로스코프의 AC커플링과 신호의 왜곡,
3.RC회로의 주파수 응답과 필터,
4.RL회로의 과도 응답과 주파수 응답
에 관하여 실험 결과

1.실험의 목표
(1) 커패시터와 인덕터의 전기 소자로서의 특성을 이해한다.
(2) 커패시터와 인덕터를 이용해 원하는 기능을 구현하는 회로를 설계할 수 있도록 한다.
(3) 과도 응답, 임피던스의 개념, 주파수 응답, 과도 응답과 주파수 응답 사이의 관계, 필터의 개념, 기억소자에 대해 완벽히 이해한다.

목차

실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM 동작원리
(1)RC회로의 과도 응답
(2)DRAM의 동작원리
(3)사람 눈의 잔상 효과

실험 6-2 : 오실로스코프의 AC 커플링과 신호의 왜곡

실험 6-3 : RC회로의 주파수 응답과 필터
(1)임피던스의 개념 :　RC회로의 임피던스 측정
(2)RC high-pass filter의 주파수 응답
(3)RC low-pass filter의 주파수 응답

실험 6-4 : RL회로의 과도 응답과 주파수 응답
(1)RL회로의 과도 응답
(2)RL회로의 임피던스와 주파수 응답

본문내용

실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM 동작원리
(1)RC회로의 과도 응답
1. 1kΩ저항과 0.1μF capacitor로 다음의 회로 6-1을 구한다.



<회로6-1>
2. 이 회로의 입력으로 0V와 5V를 왕복하는 사각파 전압 파형을 넣는다. 이 파형의 주기는 이론적으로 구한 시정수의 10배 정도가 되도록 맞춘다.
3. RC회로의 과도 응답 : oscilloscope를 이용하여 입력파형과 capacitor양단의 전압 파형을 충전될때와 방전될때로 나누어 관찰하고 기록한다. 또 이충방전 특성으로부터 이 회로의 RC시정수를 구한다. 시정수는 capacitor 전압이 방전으로 인하여 초기 전압의 1/e (약 0.37)로 떨어지는 데까지 걸리는 시간이다. 오실로스코우프의 “input coupling”은 “DC”로 둔다.
4. RC 시정수 : 표 6-4에 있는 다른 값의 저항과 capacitor로 회로 6-1을 구성하고 표 6-4를 완성한다.
[표 6-4] RC시정수
●토의사항
저항과 capacitance가 커지면서 충방전에 시간이 많이 걸리는 이유는? 시정수로부터 구한 capacitance값과 capacitor에 표시된 값이 잘 일치하는가? 시정수의 측정에서 파형 발생기와 oscilloscope의 내부저항이 미치는 영향은?
-저항이 커지면 전류가 제한되어 rush전류가 작아지므로 충전에 도달하는 시간이 오래 걸리고 마찬가지로 방전하는 시간도 많이 걸리게 된다. C값이 크면 역시 충전해야하는 우물이 커지므로 많은 전류가 들어와야 하고 마찬가지로 방전하는 데에도 시간이 많이 소요된다 시정수로 부터 구한 C값과 Capacitor에 표시된 값이 매우 잘 일치한다. 5%이내의 오차이다. 시정수 측정시 파형발생기와 오실로스코프의 내부저항이 크면 전류가 제한이 되어 시간이 약간씩 지연되어 충방전시간에 영향을 미친다. 따라서 실험에 사용하는 Cable은 최대한 짧게 하도록 하고, 굵은 선을 사용하여 또는 연선을 사용하여 최대한 저항치를 낮춰주면 좋다.

참고 자료

없음