트랜지스터의 특성에 대한 실험

소개

트랜지스터의 특성에 대한 실험

목차

실험 목적

실험 개요
관련이론

[실험순서 및 실험방법]

재료 및 사용기기

실험 결과 및 고찰
- 트랜지스터의 특징 -
- 트랜지스터의 증폭 원리 -

출처

본문내용

실험 목적
트랜지스터의 구조와 특성을 이해하고, 이를 응용하여 에미터와 베이스 사이의 전압・전류 특성을 측정한다.

실험 개요
관련이론
그림 1은 접합형 트랜지스터의 구조를 나타낸 것으로 에미터, 베이스, 콜렉터와 같은 3개의 마디로 구성되어 있다. 이것은 도우핑 레벨과 부피 및 두께에 따라 물리적 특성이 변화한다. 에미터는 도우핑 레벨이 가장 강하게 도우핑 되었으며, 부피 및 두께는 베이스와 콜렉터의 중간이며, 역할은 베이스쪽으로 과잉전자를 방출한다. 베이스의 도우핑 레벨은 가장 약하고, 부피 및 두께도 가장 얇다. 베이스 역할은 에미터에서 방출된 전자를 콜렉터 쪽으로 통과시킨다. 콜렉터의도우핑 레벨은 중간이고, 부피 및 두께는 전자를 모으는 역할을 하므로 열발산을 위해 가장 크다.

(1) 트랜지스터의 특성
트랜지스터는 에미터-베이스 접합과 베이스-콜렉터 접합으로 구성된 반도체 소자이다. 이것을 하나의 등가회로로 생각하면, 그림 2와 같이 전자는 에미터 다이오드, 후자는 콜렉터 다이오드로 할 수 있다. 또한, 접합형 트랜지스터는 PNP형 트랜지스터와 NPN형 트랜지스터로 나눌 수 있으며 PNP형과 NPN형 트랜지스터는 역 또는 상대회로의 개념이다. 즉, PNP형 트랜지스터의 에미터에서의 다수 캐리어는 정공인데 비하여 NPN형 트랜지스터의 에미터의 다수 캐리어는 전자이므로 동작특성이 서로 반대이다.

따라서, 본 실험에서는 혼란을 피하기 위하여 NPN형 트랜지스터의 동작 특성만을 언급하기로 한다. 그림 3(b)와 같은 NPN형 트랜지스터에서 에미터 다이오드(에미터-베이스 접합)는 순방향 바이어스, 콜렉터 다이오드(베이스-콜렉터 접합)는 역방향 바이어스로 하면 증폭기로 사용할 수 있다

참고자료

· 두산백과사전 EnCyber & EnCyber.com