한건희 교수님 물리전자 프로젝트

소개글

이번학기에 처음 물리전자 맡으시고 프로젝트 내주신 거에요~
다음학기에 또 하실지 모르지만 참고하세요~
Va-Jt 관계 매틀랩 소스 및 레포트입니다.

목차

1. law of depletion -> carrier concentration at nonthermal equilibrium
2. minority carrier Injection -> continuity equation
3. diffusion current density
4. 실험 개괄
5. 상수 및 변수 선언
6. 실험 결과 도출

본문내용

1. law of depletion -> carrier concentration at nonthermal equilibrium

law of depletion이 위와 같으므로, 고갈영역의 edge 에서는 아래와 같은 식을 구할 수 있다.
여기서 =n에서 hole 농도이며, 는 와 같으므로 식은 다음과 같이 전개된다.

2. minority carrier Injection -> continuity equation
n 영역에서 고갈영역 밖은 diffusion으로 minority carrier 인 pole 이 퍼져나가는데, 그 경계 영역에서
이 되고, continuity equation 에 따라 확산된다. n형에서의 continuity equation은 Steady state상태라고 가정하고 generation이 없다고 가정하면 위 식은 다음과 같이 간단해진다. 또한 이 식을 바탕으로 거리 x에 따른 hole의 concentration을 구할 수 있다. p형에서의 concentration 도 함께 구해주었다.

3. diffusion current density
위에서 구한 pn(x)를 diffusion current density 식에 대입하면 아래와 같은 식을 구할 수 있고, 경계영역에서 소수캐리어들의 합은 total current 로 나타낼 수 있다.


에서,
p형에서는,

참고 자료

없음