습식식각 방법으로 제작한 패턴 형성 사파이어 기판을 가지는 GaN계 청색 LED (GaN Base Blue LED on Patterned Sapphire Substrate by Wet Etching)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 24권 / 1호 / 7 ~ 11페이지
· 저자명 : 김도형, 이용곤, 유순재

초록

화학적 습식식각 기술에 의해 Al2O3기판에 패턴을 형성한 후에 MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)를 사용하여 기판상에 GaN/InGaN 구조를 성장시켰다. 패턴된 Al2O3기판(PSS)상에서 성장된 GaN의 표면은 양질의 morphology와 uniformity를 보여주고 있다. 패턴된 Al2O3기판으로 제작한 LED는 기존의 방법으로 제작한 LED에 비해 광 출력이 50% 증가함을 보여준다. 이러한 광 출력의 증가는 Threading dislocation의 감소에 의한 내부 양자 효율의 증가와 광 추출 효율의 향상으로 비롯된 것으로 판단된다. PSS LED는 기존의 LED에 비해서도 더욱 균일한 광 분포 각도를 갖는다.

영어초록

Sapphire substrate was patterned by a selective chemical wet etching technique, and GaN/InGaN structures were grown on this substrate by MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy).
The surface of grown GaN on patterned sapphire substrate (PSS) has good morphology and uniformity.
The patterned sapphire substrate LED showed better light output than conventional LED that improvement 50%. We think these results come from enhancement of internal quantum efficiency by decrease of threading dislocation and increase of light extraction efficiency. Also these LED showed more uniform emission distribution in angle than conventional LED .

참고자료

· 없음