IGZO, ZnO, AZO OMO 구조의 Ag두께 변화에 따른 투과율과 에너지 밴드 갭의 변화 (Change in the Energy Band Gap and Transmittance IGZO, ZnO, AZO OMO Structure According to Ag Thickness)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 28권 / 3호 / 185 ~ 190페이지
· 저자명 : 이승민, 이상렬, 김홍배

초록

본 연구에서는 RF magnetron sputter와 Thermal evaporator로 Ag 두께의 변화에 따라 증착한 IGZO, ZnO, AZO OMO 박막의 투과도 특성과 에너지 밴드갭의 변화를 연구하였다. 기판은 corning 1737 유리 기판을 사용하였고, 박막 증착 조건으로 초기 압력 2.0×10-6 Torr, 증착압력 6.0×10-3 Torr, 반응가스 Ar 25 sccm, 증착온도는 실온으로 고정하였으며, RF 파워는 30 W로 고정하였다. 공정변수로는 Ag 두께를 3 nm~15 nm까지 2 nm 단위로 증가시켰다. XRD 분석결과 IGZO OMO는 Bragg`s 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. ZnO, AZO OMO의 경우는 34° 부근에서 [002]면의 피크가 측정되어 결정질임을 확인하였다. 투과도 특성은 가시광영역에서 평균 75% 적외선 영역에서 평균 20%의 투과도를 보였다. 에너지 밴드갭의 경우 Ag두께가 증가할수록 감소하였으며 이는 투과도의 저하로 나타났다.

영어초록

In this study, we fabricated the indium gallium zinc oxide (IGZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zincoxide (AZO). oxide and silver are deposited by magnetron sputtering and thermal evaporator, respectivelytransparency and energy bandgap were changed by the thickness of silver layer. To fabricate metal oxide metal(OMO) structure, IGZO sputtered on a corning 1,737 glass substrate was used as bottom oxide material and thensilver was evaporated on the IGZO layer, finally IGZO was sputtered on the silver layer we get the final OMOstructure. The radio-frequency power of the target was fixed at 30 W. The chamber pressure was set to 6.0×10-3Torr, and the gas ratio of Ar was fixed at 25 sccm. The silver thickness are varied from 3 to 15 nm. The OMOthin films was analyzed using XRD. XRD shows broad peak which clearly indicates amorphous phase. ZnO, AZO,OMO show the peak [002] direction at 34°. This indicate that ZnO, AZO OMO structure show the crystallinepeak. Average transmittance of visible region was over 75%, while that of infrared region was under 20%. Energyband gap of OMO layer was increased with increasing thickness of Ag layer. As a result total transmittance wasdecreased.

참고자료

· 없음