SiO2 버퍼층을 갖는 PET 기판위에 증착한 IZTO 박막의 전기적 및 광학적 특성 (Electrical and Optical Properties of the IZTO Thin Film Deposited on PET Substrates with SiO2 Buffer Layer)

서지정보

· 발행기관 : 한국정보통신학회
· 수록지 정보 : 한국정보통신학회논문지 / 21권 / 3호 / 578 ~ 584페이지
· 저자명 : 박종찬, 정양희, 강성준

초록

PET (Polyethylene terephthalate) 플라스틱 기판 위에 IZTO (In-Zn-Sn-O) 박막을 증착하기 전에, SiO2 버퍼층을 전자빔 증착 방법으로 100nm 의 두께로 증착하였다. IZTO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 RF 파워는 30~60W 로, 공정 압력은 1~7mTorr 로 변화시켜가며 SiO2/PET 에 증착하여 IZTO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. RF 파워 50W 와 공정 압력 3mTorr 에서 증착한 IZTO 박막이 4.53×10-3/Ω 의 제일 큰 재료평가지수와 이때 4.42×10-4Ω-cm 의 비저항과 27.63Ω/sq. 의 면저항으로 가장 우수한 전기적 특성을 보였고, 가시광 영역 (400∼800nm) 에서의 평균 투과도도 81.24% 로 가장 큰 값을 나타내었다. AFM 으로 IZTO 박막의 표면 형상을 관찰한 결과, 모든 IZTO 박막이 핀홀이나 크랙 같은 결함이 없는 표면을 가지며, RF 파워 50W 와 공정 압력 3mTorr 에서 증착한 박막이 1.147nm 의 가장 작은 표면 거칠기를 나타내었다. 이로부터 SiO2/PET 구조위에 증착한 IZTO 박막이 차세대 플렉시블 디스플레이 소자에 응용될 수 있는 매우 유망한 재료임을 알 수 있었다.

영어초록

SiO2 buffer layer (100nm) has been deposited on PET substrate by electron beam evaporation. And then, IZTO (In-Zn-Sn-O) thin film has been deposited on SiO2/PET substrate with different RF power of 30 to 60W, working pressure, 1 to 7mTorr, by RF magnetron sputtering. Structural, electrical and optical properties of IZTO thin film have been analyzed with various RF powers and working pressures. IZTO thin film deposited on the process condition of 50W and 3mTorr exhibited the best characteristics, where figure of merit was 4.53×10-3Ω-1, resistivity, 4.42×10-4Ω-cm, sheet resistance, 27.63Ω/sq., average transmittance (400-800nm), 81.24%. As a result of AFM, all the IZTO thin film has no defects such as pinhole and crack, and RMS surface roughness was 1.147nm. Due to these characteristics, IZTO thin film deposited on SiO2/PET structure was found to be a very compatible material that can be applied to the next generation flexible display device.

참고자료

· 없음