Hyflon 보호막이 용액공정으로 제작된 유기 전계-효과 트랜지스터의 전기적 안정성에 미치는 효과

서지정보

ㆍ발행기관 : 한국화상학회 ㆍ수록지정보 : 한국화상학회지 / 23권 / 4호
ㆍ저자명 : 이승현, 이현석, 이지열, 이범주

목차

요 약
Abstract
1. 서 론
2. 실 험
2.1 샘플제작
2.2 전기적 특성 측정
3. 결과 및 고찰
4. 결 론
Acknowledgement
References

한국어 초록

본 연구에서는 용액 공정으로 제작된 단분자 기반의 유기 반도체 전계효과 트랜지스터에 적용된 보호막이 유기 트랜지스터의 전기적 안정성에 미치는 영향에 대해여 살펴보았다. Solvay社에서 제공한 용액 공정형 유기 단분자 반도 체를 채널로 사용하여 제작한 유기 트랜지스터는 약 1 cm2/Vs의 상대적으로 높은 이동도를 보였으며, 대략 2.5 ~ 20 k Ωcm 범위의 낮은 접촉저항을 가진 것으로 측정되었다. 무엇보다 중요한 것은, 제작한 유기 트랜지스터에 불소원자가 함유된 Hyflon AD를 보호막으로 적용하였을 때, 보호막을 적용하기 전에 비해 훨씬 더 향상된 전기적 안정성을 보였 다. 이는 불소원자가 함유된 Hyflon AD 고분자막이 대기 중의 수분을 효과적으로 차단하기 때문으로 추측된다.

영어 초록

In this study, we investigated the effect of a passivation layer on the electrical stability of a small-molecule- based organic field-effect transistor fabricated by a solution process. Organic transistors fabricated using the soluble organic small-molecular semiconductors provided by Solvay have relatively high mobility of about 1 cm2/Vs and have a low contact resistance in the range of about 2.5 to 20 kΩcm. Most importantly, when Hyflon AD polymer layer containing fluorine atoms is applied to the fabricated organic transistor as a passivation film, the device shows much improved electrical stability than before the passivation film is applied. This is presumably because the fluorinated Hyflon AD film effectively blocks moisture in the atmosphere.

참고 자료

없음