적색 InP/ZnS 양자점을 적용한 고연색성 및 고효율 GaN 기반 백색 발광다이오드

서지정보

· 발행기관 : 한국화상학회
· 수록지 정보 : 한국화상학회지 / 21권 / 3호
· 저자명 : 김태훈, 유영문

목차

1. 서 론
2. 실 험
3. 결과 및 고찰
4. 결 론
Acknowledgement
References

초록

연구에서는 연색 지수가 90이상의 초고연색성 백색 발광다이오드를 구현하기 위해서, 황색형광체로서 Y3Al5O12:Ce3+, 녹색형광체로서 Lu3Al5O12:Ce3+ 그리고 적색형광체로서 InP/ZnS 양자점을 적용한 형광체 변환방식의 백색 발광다이오드의 새로운 조합을 제안하였다. 또한 발광효율을 향상하기 위해서 청색 칩 위에 이증 구조의 형광 체 도포방식을 적용하였다. 적색 InP/ZnS 양자점을 적용하여 만들어진 백색 발광다이오드는 동작전류 60mA, 상관 색온도 5200K 조건하에서 발광효율이 123 lm/W 이상이며, 90 이상의 초고연색성을 나타내었다. 상업적으로 적용된 초고연색성 백색 발광다이오드 제품과 비교해 보면, 적색 InP/ZnS 양자점을 적용한 형광체 변환 방식에 의한 백색 발광다이오드 연구 결과는 고체조명 응용에 적용될 수 있을 것으로 예상된다.

영어초록

In this study, in order to achieve ultra high CRI (color rendering index, Ra > 90) white light-emitting diodes (LED), we proposed a new combination of phosphor converted white LEDs by adopting Y3Al5O12:Ce3+ as a yellow phosphor, Lu3Al5O12:Ce3+ as a green phosphor, and InP/ZnS quantum dot as a red phosphor, respectively. Furthermore, to improve luminous efficiency, we adopted bi-layered structure for phosphor coating on the blue chip. Fabricated white LED with red InP/ZnS quantum dot exhibited high luminous efficiency of > 123 lm/W and ultra high CRI of > 90 (Ra) under operating current of 60 mA and correlated color temperature (CCT) of around 5200 K. Compared with commercial ultra high CRI white LEDs, our results indicate that hybrid phosphor converted white LEDs with red InP/ZnS quantum dot is desirable for the application of solid state lighting.

참고자료

· 없음