22하 삼성전자 메모리사업부 회로설계 합격 자기소개서

소개

"22하 삼성전자 메모리사업부 회로설계 합격 자기소개서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. 700자 (영문작성 시 1400자) 이내
2. 본인의 성장과정을 간략히 기술하되 현재의 자신에게 가장 큰 영향을 끼친 사건, 인물 등을 포함하여 기술하시기 바랍니다. (※작품속 가상인물도 가능) 1500자 (영문작성 시 3000자) 이내
3. 최근 사회이슈 중 중요하다고 생각되는 한가지를 선택하고 이에 관한 자신의 견해를 기술해 주시기 바랍니다. 1000자 (영문작성 시 2000자) 이내
4. 지원한 직무 관련 본인이 갖고 있는 전문지식/경험(심화전공, 프로젝트, 논문, 공모전 등)을 작성하고, 이를 바탕으로 본인이 지원 직무에 적합한 사유를 구체적으로 서술해 주시기 바랍니다. 1000자 (영문작성 시 2000자) 이내

자기소개서 항목

• · 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. 700자 (영문작성 시 1400자) 이내
  [zero-tolerance 메모리 반도체 설계를 위한 꿈] 빈틈없이 검증하여 'zero-tolerance' 메모리 설계의 꿈을 이루고자 지원했습니다 삼성전자는 폭증하는 데이터 처리량에 대응하여 CXL 기반 DRAM, HBM-PIM 등을 선...…<중 략>
  답변 글자 수: 694자 (공백 포함)
• · 본인의 성장과정을 간략히 기술하되 현재의 자신에게 가장 큰 영향을 끼친 사건, 인물 등을 포함하여 기술하시기 바랍니다. (※작품속 가상인물도 가능) 1500자 (영문작성 시 3000자) 이내
  [대통령 과학 장학생 선발로 얻게 된 '나도 할 수 있다'는 자신감] 현재의 저에게 가장 큰 영향을 끼친 사건은 2021년 6월, '대통령 과학 장학생'으로 선발되었을 때입니다. 장학생으로 선발되기 전의 저는 현재의 삶에 안주하...…<중 략>
  답변 글자 수: 1,506자 (공백 포함)
• · 최근 사회이슈 중 중요하다고 생각되는 한가지를 선택하고 이에 관한 자신의 견해를 기술해 주시기 바랍니다. 1000자 (영문작성 시 2000자) 이내
  답변 글자 수: 1,005자 (공백 포함)
• · 지원한 직무 관련 본인이 갖고 있는 전문지식/경험(심화전공, 프로젝트, 논문, 공모전 등)을 작성하고, 이를 바탕으로 본인이 지원 직무에 적합한 사유를 구체적으로 서술해 주시기 바랍니다. 1000자 (영문작성 시 2000자) 이내
  답변 글자 수: 999자 (공백 포함)