물리2 세특 (트랜지스터 구조 관련) 24년 수시 합격생의 생기부 자료

문서 내 토픽

• 1. 트랜지스터

  트랜지스터는 전극에 가해진 전압이나 전류를 제어해서 신호를 증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자이다. 트랜지스터는 크게 BJT(Bi-polar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)로 나눌 수 있다. BJT는 전류를 증폭시키며 Base, Collector, Emitter인 3개의 전극을 가지고 있고 전자와 정공 둘 다 기여하는 Biploar 소자이다. FET은 전압을 증폭시키며 Gate, Source, Drain으로 이루어져 있고 전자나 정공 중 한 종류만 전류에 기여하는 Unipolar 소자이다.

• 2. MOS 커패시터

  MOS(Metal, Oxide, Semiconductor) 커패시터는 두 개의 전극 사이에 절연체인 산화물이 삽입된 구조로, 일반적인 평행판 커패시터와 다르게 아래쪽 금속을 반도체로 대체했다는 특징이 있다. MOS 커패시터에 음전압을 p형 반도체에 양전압을 가하면 금속에 전자들이 주입되어 산화물의 금속 쪽 표면에 양전하들이 정렬되고, 반도체 접합부분에 음전하들이 정렬되어 p형 반도체의 양공들이 산화물의 접합부에 쌓이게 된다. 이러한 상황을 자유전하가 접합부에 축적된다고 하여 축적 이라 부른다.

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• 1. 트랜지스터

  트랜지스터는 전자 기기의 핵심 구성 요소로, 전자 신호를 증폭, 스위칭, 조절하는 역할을 합니다. 이는 현대 전자 기술의 근간을 이루는 매우 중요한 기술입니다. 트랜지스터는 진공관을 대체하면서 전자 기기의 소형화와 고성능화를 가능하게 했습니다. 특히 반도체 기술의 발전으로 트랜지스터의 크기가 점점 작아지고 집적도가 높아지면서 마이크로프로세서, 메모리 등 다양한 전자 기기에 활용되고 있습니다. 트랜지스터 기술은 앞으로도 전자 기기 발전의 핵심이 될 것으로 보이며, 새로운 소재와 구조를 통해 더욱 발전할 것으로 기대됩니다.

• 2. MOS 커패시터

  MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 커패시터는 반도체 소자에서 중요한 역할을 합니다. MOS 커패시터는 금속-절연체-반도체 구조로 이루어져 있으며, 전압 인가에 따라 반도체 표면에 전하층이 형성되어 커패시터 역할을 하게 됩니다. MOS 커패시터는 메모리 소자, 아날로그 회로, 센서 등 다양한 반도체 소자에 활용되고 있습니다. 특히 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 핵심 구성 요소로 사용되어 전자 기기의 핵심 부품이 되고 있습니다. MOS 커패시터 기술은 반도체 소자의 소형화, 고집적화, 고성능화에 기여하고 있으며, 앞으로도 반도체 기술 발전의 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다.