"GAA기술" 검색결과 141-160 / 686건

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  DSSC pre

  (나)핵심기술(나노 입자로 만든 다공질 ): 염료 감응형 태양전지의 효율을 급속히 올릴 수 있게 된 주요 원인 중의 하나는 반도체 표면적의 증가이다. ... , InP 등 - 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs 4.1 실험 시약 및 기구 시약 염료용액, 전해질용액, 에탄올, 봉지재료 기구 ... 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등 - 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등 ⓑ 위성용 태양전지 - IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용) - GaAs 계열 : GaAs

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.21

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  Solar Cell

  NREL에 의하면 GaAs와 InGaP을 다중 접합하면 최대효율이 39% 까지 나온다. ... 실제의 변환효율은 Si, 비결정성 Si, GaAs를 재료로 한 것으로서, 각각 약 10~15%, 8~12%, 15~22% 정도이다. ... ●Solar Cell이란 태양 에너지를 효율적으로 전기 에너지로 변환하도록 설계된 광기전력 효과를 이용한 광전변환 소자로 Si 이나 GaAs 등의 반도체의 pn접합이나 쇼트키 접촉에

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20

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  7-segment

  LED에 의한 디스플레이는 이제까지의 SiC 혹은 GaN 청색 LED와 다른 재료에 의한 적.녹색 LED를 조합시킨 하이브리드형의 풀 컬러 LED 램프를 제작하고 있는데 앞에서 기술한 ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화합니다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 됩니다 ... GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있습니다. (3) GaAsP계 적색 LED GaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.24

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  LED 역사, 원리, 구조, 분류, 활용분야

  , 소자화 기술 및 조립 자동화 기술 등의 고도화 개발이 이루어졌으며, 청색 LED의 재료에 대한 기초 연구가 진행되었다. 1992년 일본에서 청색 LED를 만드는데 성공하여 LED를 ... , Gap로 적색 LED를 만들었다. 1970년대에는 청색 LED를 제외한 적색에서 녹색에 이르는 발광파장의 고휘도 LED를 상용화하였다. 1980년대는 기판 결정성장기술, pn 접합기술 ... 발광을 관측하였고 1955년 GaP으로 발광 다이오드를 만들었다. 1962년 GaAs로 pn 다이오드를 만들어 발광현상을 관측하고 이후 GaAsP를 이용한 적색 LED가 만들어지고

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.16

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  태양에너지 원리 및 case 연구

  SiC , SiGe 비결정계 15-24% 셀의 변환효율 10-17% 8-13% 10-14% 모듈의 변환효율 9-12% 6-9% InP, CdS, CdTe 이원계 18-30% ( GaAs ... 유기반도체 태양전지 멜로시아닌 1% 이하 - 태양전지의 종류 - 상용화 사용 중인 태양전지는 단결정 실리콘 , 다결정 실리콘 태양전지 , 비결정 실리콘 임 변환 효율이 가장 높은 GaAs ... 태양에너지 - 들어가며 진주 복합수지 태양광 사업 검토 - 기술적 측면 - 사업적 측면 - 경제적 효과 태양에너지 - 들어가며 태양광발전 태양빛를 전기에너지로 변환시키는 발전방식 -

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.04 | 수정일 2018.03.30

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  반도체 공학 개론 HW#3

  RF와 Microwave용 IC를 제작하는데 있어서, 실리콘 반도체에 비하여 화합물반도체(GaAs, InP)가 더욱 유리한 이유를 2가지 이상 설명하라. 1.온칩 인덕터의 Q에 대한 ... MEMS 기술을 이용하여 상용화된 제품의 3종류를 예로 들고, 이들 각각에 있어서 어떻게 MEMS 기술이 응용되었는지 설명하라. 10. ... 실리콘 반도체 기술에 있어서, Varactor를 제작하는 방법의

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.12

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  [기기분석] LED(light emitting diode)

  특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 되어 사실상 1980년대 초까지만 하더라도 LED의 에너지 변환효율이 ... 정책적으로도 기술적으로도 안정감을 찾아가는 우리나라의 현 주소에서 21세기의 빛인 LED세상은 그리 멀지 않았다. ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단 파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.07

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  태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

  태양광 이용기술 - 태양광 발전은 태양광을 직접 전기에너지로 변환시키는 기술 - 햇빛을 받으면 광전효과에 의해 전기를 발생하는 태양전지를 이용한 발전방식 - 태양광 발전시스템은 태양전지 ... 등 위성용 Ⅳ족 단결정 실리콘, Ge(저온용) GaAs 계열 GaAs/GaAs, GaAs/Ge, InP 등 적층형(Tendem) GaAs/Ge, GalnP/GaAs, GaAs/GaAs ... 반도체의 재료로서는 실리콘, 갈륨비소, 황화카드뮴 등이 있 으나 보통 실리콘이 많이 사용됨 2) PN접합에 의한 발전원리 - 태양전지는 실리콘으로 대표되는 반도체이며 반도체기술의 발달과

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  결과-7Segment

  LED에 의한 디스플레이는 이제까지의 SiC 혹은 GaN 청색 LED와 다른 재료에 의한 적.녹색 LED를 조합시킨 하이브리드형의 풀 컬러 LED 램프를 제작하고 있는데 앞에서 기술한 ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다. ... GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다. (3) GaAsP계 적색 LED GaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.24

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  SiC, GaN 화합물 반도체의 전력소자 응용

  전자포화속도가 약 2배, 열전도가 약 3배가 되는 등 파워디바이스로서는 빼어난 물성치를 가지고 있다. ● 이들의 대표격인 SiC/GaN 반도체를 사용한 파워디바이스는 파워일렉트로닉스기술에 ... > 화합물 반도체는 결정이 두 종류 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체로, 갈륨-비소(GaAs), 인듐-인(InP), 갈륨-인(GaP) 등의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물(주기표의 Ⅲ족과 ... 사이리스터, GTO(Gate Turn Off 사이리스터), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 파워MOSFET 등 파워디바이스의 대부분은 Si(일부 GaAs

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.13

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  박막 태양 전지를 이용한 태양에너지 변환 및 활용, 박막 태양전지에 관한 ppt

  가장 성숙 - 생산되는 태양전지 90%이상 2세대 박막 태양전지 - 박막형태의 태양전지 - 1세대에 비해 생산단가 낮음 - 원재료가 차지하는 비중 낮음 초고효율 태양전지 - 주로 GaAS ... 동향(전자통신동향분석 제24권 제4호 2009. 8) 알기 쉬운 태양전지(2009. 8. 21, 안병태) 실리콘 박막 태양전지 기술(태양전지 기술동향, 조준식·이정철, 송진수·윤경훈 ... 건물 일체형 박막태양전지의 조건 Flexible 특성 저렴한 가격 공정 기술의 용이성 1.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.11.25

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  GAAP의 원천과 개발

  「기업회계기준해석서」 는 기업회계기준서에서 다루지 못한 세부실행지침을 기술하고 기술적인 문제등을 사례를 중심으로 해설하거나 기업회계기준서의 내용 중 일반적인 표현에 대한 분명한 해석이 ... IASB는 2002년부터 미국이 국제적으로 인정되는 회계기준(Globally Accepted Accounting Standards：GAAS)에 의한 비교가능한 고품질의 재무정보는 자국만의

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.20

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  MESFET의 특징

  MESFET는 비소화 갈륨, InP, 또는 SiC과 같은 고품질 표면 안정화가 모자란 화합물 반도체 기술들에 대체로 조립되고, 규소 JFET 또는 MOSFET보다 더 빠르고 더 고가입니다 ... 이와 같은 GaAs의 우수성에 의해 GaAs MESFET은 디지털 집적 회로의 고속 스위칭 element, 낮은 잡음 소자 그리고 고주파 영역에서의 전력 증폭 소자 등 여러 분야에서 ... 그림은 간단한 GaAs MESFET을 개략적으로 보여주고 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26

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  LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt

  P-N 1960 년 발광 관측 시작 계기로 , GaAs , GaP , GaAsP , ZnSe 결정성장기술 주입발광현상 에 대한 많은 연구발표 이루어짐 Ⅱ LED 발전 과정 1900 ... 1952 년 발광 관측 Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측 Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs ... 조명 을 일반 소비 제품 에 적용하기 위한 기술 연구 Ⅲ LED 최신동향 시 장 동 향 한국의 LED 표준화 세계기술동향 LED 산업 중 , BLU 응용시장 의 확대가 빠르고 향후

  리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  [기초회로실험] 26장. 광전자 소자특성 예비레포트

  구조는 GaAs 적외선 발광 다이오드와 실리콘 포토트랜지스터로 이루어져 발광부와 수광부가 투명한 수지(樹脂)에 넣어져 광학적으로 결합되어 있으며, 바깥 쪽에는 빛을 차단시키기 위하여 ... 관련이론 광학(OPTICS)을 전자공학에 결합시킨 일련의 기술이나 학문분야를 광전자공학 또는 옵토일렉트로닉스라 하며 광통신이나 광메모리 분야 또는 광 계측분야의 주요 기술로 되고 있다 ... 따라서, 정류 용도로 사용할 수 없다. (2) LED의 장점에 대해서 기술하여라. 소비 전력이 낮고 수명이 길어서 많은 전자기기에 사용되고 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.01.16 | 수정일 2022.10.13

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  반도체기술

  성공적인 MRAM의 상용화를 위해서는 고른 스핀 배열을 갖는 재료의 발견이 시급하며, 전압 및 온도의 상승에 EK라SiGe 혹은 GaAs 소자 등 다양한 웨이퍼 상의 소자들을 서로 ... 형성이 가능하고, 게이트의 누설 전류를 줄일 수 있으며, 낮은 소비 전력으로 매우 빠른 소자의 동작이 가능 ◈ CH3 클리닝 공정 * 반도체 웨이퍼 제작공정 실리콘 혹은 화합물(GaAs ... 기술 ?

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28

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  cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

  세부기술 Bottle Neck 태양전지분류 단결정 Si (c-Si) 다결정 Si (mc-Si) 비정질형 (a-Si : H) 실리콘계 Ⅲ-Ⅴ 형 GaAs,InP Ⅱ-Ⅴ 형 CdS / ... 높 은 장비 투자 비용 화합물 반도체 Ⅱ-Ⅵ Ⅲ-Ⅴ 단결정 실리콘 다결정 실리콘 비정질 실리콘 A-Si/ nc -Si 박 막 실리콘 결정 CdTe CIS/CIGS Galnp ₂/ GaAs ... 동종접합으로 태양전지에 사용 가장 산업화가 앞서가고 있는 분야 단결정 실리콘 1 세대 태양전지 2 세대 태양전지 CI(G)S ( CuIn ( Ga )Se2) 와 CdTe 계열과 III-V GaAs

  리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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  LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석

  P-N 1960 년 발광 관측 시작 계기로 , GaAs , GaP , GaAsP , ZnSe 결정성장기술 주입발광현상 에 대한 많은 연구발표 이루어짐 Ⅱ LED 발전 과정 1900 ... 1952 년 발광 관측 Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측 Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs ... 조명 을 일반 소비 제품 에 적용하기 위한 기술 연구 Ⅲ LED 최신동향 시 장 동 향 한국의 LED 표준화 세계기술동향 LED 산업 중 , BLU 응용시장 의 확대가 빠르고 향후

  리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24

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  태양전지 이차전지 연료전지

  위성용 태양전지 1) IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용) 2) GaAs 계열 : GaAs, InP 등 3) 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs ... 지상용 태양전지 1) 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등 2) 박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등 3) 집광형 : GaAs 계열 ... 확보한 상태이지만 시스템 제작 및 운영 경험 부족 하지만 소재/부품 분야 기술 개발을 통한 실용화 기술 개발이 가능함 연료전지 기술 확보에 대한 세계 각국의 연구개발 경쟁은 더욱

  리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.08

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  LED 보고서

  있으며 , 단자의 양극에 직류전원을 인가하면 정공과 전자의 운동에 의해 발광 층에서 빛을 발생하게 되는 특성을 이용 LED 응용분야 - OLED 6 조 OLED 의 장단점 LCD 기술에 ... 조절하여 band gap 의 크기 , 격자상수 , 결정구조 , direct-indirect band gap 을 결정할 수 있다 . 6 조 LED 의 재료 재료 - 비소화갈륨 : GaAs ... - 빨간색 , 노란색 , 녹색 인듐 질화 갈륨 : InGaN – 녹색 , 파란색 , 오렌지색 , 보라색 셀렌화 아연 : ZnSe – 녹색 , 파란색 - 갈륨 - 비소 - 인 : GaAs1

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.04.12

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