[부산대]재료의 광전자기 성질 기말고사 대비

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Intrinsic(진성) & Extrinsic(불순물) semiconductor 정의와 특징
진성 반도체 : 도핑을 안 시킨 반도체 -> 원소 반도체(Si, Ge), 화합물 반도체(GaAs, CdS)

불순물 반도체 : 5족 혹은 3족 원소를 불순물로 doping하면 major carrier(전자, 홀)를 생성시켜 전기가 흐르도록 만든 반도체
+불순물 반도체의 온도 변화에 따른 전기전도도의 변화 :
온도가 올라감에 따라 전도도가 올라가는 이유 : carrier density가 지수적으로 증가 (mobility가 linearly하게 감소)
max point 후 감소하는 이유 : carrier density가 일정해지는데(자유전자 최대 생성), mobility가 선형적으로 계속 감소하기 때문

참고 자료

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